FDMS36xxSファミリーはコントロールMOSFET（ハイサイド）及びシンクロナスMOSFET（ローサイド）に加え、モノリシック・ショットキー・ボディダイオードをPQFNパッケージに統合した製品です。スイッチ・ノードは内部で接続されているため、同期整流降圧DC-DCコンバータを構成する際の部品配置及び配線が簡素化されます。コントロールMOSFET（Q1）と、シンクロナスMOSFET（SyncFET）は、最適の電力効率で30Aまでの出力電流が得られるように設計されています。FDMS36xxSファミリーはこれらのデバイスをモジュールに統合したことにより、二個、或いはそれ以上の5mm x 6mm PQFN、SO8、またはDPAKパッケージを使用する必要がなくなり、ボード・スペースの削減に貢献します。
電源設計エンジニアにとって、占有スペースの削減と、電力密度の向上は二つの主要課題であり、特に、ノートPC、ポイントオブロード、サーバ、ゲーム機器、そして通信機器用アプリケーションでは重要になります。高性能パワー半導体とモバイル向け半導体製品で世界をリードするフェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社（本社：東京都渋谷区、社長：雨宮隆久）は、この要求に応えるため、パワーステージ非対称型デュアルMOSFETモジュール製品である「FDMS36xxS」ファミリーを発表しました。