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2012年12月04日 12時　[コンピュータ・通信機器／製品]

フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社

フェアチャイルドセミコンダクター、電力変換システムで業界トップの効率と更なる信頼性の向上を実現するシリコンカーバイド（SiC）ソリューションを発表

フェアチャイルドセミコンダクターは、高温動作時に最小の電力損失を実現するSiCバイポーラ・ジャンクション・トランジスター（BJT）を発表しました。

産業機器およびパワーエレクトロニクス設計者は、高い電力密度を達成しつつ厳しい省エネ規制およびシステム起動時間の要求を満たす努力をする中で、パワーロスの削減と信頼性の向上という設計課題に継続的に取り組んでいます。しかしながら、このような重要な設計性能の改善は、再生可能エネルギー、産業用モータードライブ、高密度電源装置、オートモーティブ、および掘削機器等のアプリケーションでは、設計を複雑化すると同時に全体のシステムコストを押し上げることになります。

これらの課題に取り組む設計者を援助するため、高性能パワー半導体とモバイル向け半導体製品で世界をリードするフェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社（本社：東京都渋谷区、社長：雨宮隆久）は、電力変換システムに最適なシリコンカーバイド（SiC）テクノロジーソリューションを発表し、その革新的な高性能パワートランジスター技術におけるリーダー的立場をさらに強固なものにしました。

フェアチャイルドセミコンダクターのSiCはゴール達成へのソリューション
フェアチャイルドはシリコンカーバイドをベースにした製品をその製品構成に加えることにより、革新的な高性能パワートランジスター製品のリーダーシップ的立場を強化することになります。


フェアチャイルド製シリコンカーバイド（SiC）が内包する能力：
- 多様な半導体デバイス製品群およびモジュールパッケージ技術を利用することによる最適化されたセミ・スタンダードおよびカスタム・ソリューション

- 部品点数の削減およびエンジニアリング時間の短縮を可能にする機能集積やデザインサポート向けのリソース提供をすることにより、エンジニアリング課題をシンプルにする先進技術

- 先進のデバイスを最新の小型パッケージに統合し、サイズ、コスト、そして電力における優位性を提供することで、チップセットサプライヤーと機器メーカーの要求を実現


フェアチャイルドSiC製品ポートフォリオの中で最初にリリースされるのは、高効率、高電流密度、堅牢性に優れ、安定した高温特性を実現するSiCバイポーラージャンクショントランジスター（BJT）です。フェアチャイルドのSiC BJTは特別に高効率なトランジスターを活用することにより、導通損失およびスイッチング損失が低いため（30〜50%）、高速スイッチング動作を可能にすると同時に他の同等サイズのシステムと比べ最大40%の出力アップを実現します。

更に、より小さいサイズのインダクター、コンデンサー、およびヒートシンクの使用が可能になり、この堅牢なBJTデバイスは全体のシステムコストを最大20%削減します。業界をリードするこのSiC BJT製品は高効率動作と優れた短絡時および逆バイアス時安全動作領域を備えていることから、大電力変換アプリケーションのパワーマネージメント性能を最適化する上で重要な役割を果たします。

フェアチャイルドはシリコンカーバイド・ソリューションの一端として、“プラグアンドプレイ”が可能なディスクリート・ドライバーボード（15Aおよび50A用）も開発しました。このボードはフェアチャイルドの新規SiC BJTと共に使用することで、低スイッチング損失による高速スイッチング特性と高い信頼性が得られるだけでなく、設計者が現在のアプリケーションに容易にSiC技術を導入することを可能にします。更に、デザイン時間の短縮および製品の市場投入時期を早められるよう、SiCデバイスを用いた設計に必要な情報を提供するアプリケーションノート、そして、特定のアプリケーション要求を満たすドライバー回路の開発を可能にするレファレンスデザインも、それぞれ設計者に提供されます。


SiC BJT と 他のSiCテクノロジーとの比較：
最も高効率な1200V電力変換用スイッチ
- スイッチング損失、導通損失、ドライブ損失を含めたトータル損失が最小
- 全ての1200Vデバイスの中で、任意に与えられるRONに対するスイッチング損失が最小

駆動が容易
- ノーマリ・オフ特性により、リスク、複雑さ、性能を制限する設計を低減
- オーバー／アンダー・ピーク電圧に影響されない安定したベース入力

優れた堅牢性および信頼性
- 高い定格動作温度：Tj=175°C
- 正の温度係数を持つRON、負の温度係数を持つゲインにより並列接続が容易
- 安定で堅牢なVbe順方向電圧および逆方向ブロック特性


フェアチャイルドのSiC BJTはTO-247パッケージで提供されます。また、現在エンジニアリング・サンプル供給中です

パワー半導体におけるフェアチャイルドの専門知識は成長するシリコンカーバイド市場と理想的な形で一致しています。当社のSiC製品ポートフォリオは、今日流通する他の競合製品では得ることのできない優れた高速性能、柔軟性、そしてトータルパフォーマンスを提供します。フェアチャイルドは成功へのソリューションを提供することに注力し、卓越した先進性、サービス、そして製造技術に重点を置き、お客さまと共にマルチマーケットの優れた半導体製品の開発に向け努力してまいります。

SiCテクノロジーに関する詳細な情報は、以下のサイトよりご覧頂けます。
http://www.fairchildsemi.com/sic

【本件に関するお問い合わせ先】
企業名：フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社
TEL：03-6367-9100
FAX：03-6367-9110

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